Perbedaan Antara IGBT dan Thyristor Secara Umum

Hai semua kembali lagi bersama aku swedy.. yang akan bercerita seputar dunia elektronik sampai ke detail komponen - komponennya.

Kali ini aku ingin membahas tentang perbedaan thyristor dan IGBTS. Karena perangkat tersebut banyak banget digunakan didunia Industri. Oleh karena itu yuk kita simak lebih lanjut mengenai pengertian dari kedua komponen tersebut. Thyristor dan IGBTS (Insulated Gate Bipolar Transistors) adalah jenis gadget semikonduktor dengan 3 terminal dan masing-masing digunakan untuk mengatur arus. Kedua perangkat memiliki terminal kontrol yang disebut 'gerbang', tetapi memiliki prinsip operasi yang berbeda. Salah satu komponen dari IGBTS FF1000R17IE4 INFINEON TECHNOLOGIES. Dimana Infineon merupakan merupakan salah satu perusahaan yang memproduksi IGBTS, selain Eupec dan merek lainnya.

Thyristor terbuat dari 4 lapisan semikonduktor bolak-balik (dalam bentuk P-N-P-N), oleh karena itu, termasuk 3 persimpangan PN. Dalam analisis, ini dianggap sebagai sepasang transistor yang digabungkan erat (satu PNP dan berbeda dalam konfigurasi NPN). Lapisan semikonduktor jenis P dan N terluar masing-masing disebut sebagai anoda dan katoda. Elektroda yang terhubung ke lapisan semikonduktor jenis P internal disebut 'gerbang'. Dalam operasinya, thyristor bekerja saat pulsa disuplai ke gerbang. Ini memiliki 3 mode operasi yang disebut 'mode pemblokiran berlawanan', 'mode pemblokiran depan' dan 'mode terlibat di depan'. Setelah gerbang diendapkan dengan denyut nadi, thyristor akan beralih ke 'mode aktif di depan' dan terus aktif hingga teknologi maju muncul kurang dari ambang 'melestarikan modern'.

Thyristor adalah perangkat kekuatan dan sebagian besar digunakan dalam program yang melibatkan arus dan voltase tinggi. Perangkat lunak thyristor yang paling banyak digunakan adalah mengendalikan arus bolak-balik. Transistor Bipolar Gerbang Terisolasi (IGBTS) IGBTS adalah alat semikonduktor dengan 3 terminal yang disebut 'Emitter', 'Collector' dan 'Gate'. Ini adalah bentuk transistor, yang dapat mengatasi jumlah daya yang lebih baik dan memiliki kecepatan peralihan yang lebih baik sehingga sangat efisien. IGBT telah ditambahkan ke pasar pada 1980-an. IGBTS memiliki fungsi gabungan dari masing-masing MOSFET dan bipolar junction transistor (BJT). Ini adalah gerbang yang didorong seperti MOSFET dan memiliki sifat voltase mutakhir seperti BJT. Oleh karena itu, ia memiliki keuntungan dari setiap fungsionalitas canggih yang berlebihan dan kontrol yang sederhana. Modul IGBTS (termasuk beberapa gadget) mengatasi kekuatan kilowatt.

sumber : https://elektrindo.co.id/igbts/ff1000r17ie4-infineon-technologies/